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      WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x

      描述:WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x
      德國(guó)WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)試儀可高效、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。
      電化學(xué)ECV剖面濃度測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(

      更新時(shí)間:2020-11-01
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      WEP CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x

      德國(guó)WEP公司的CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)試儀可高效、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。
      電化學(xué)ECV剖面濃度測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x適用于評(píng)估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過(guò)程并且以被使用在多種不同的材料上,例如:硅、鍺、III-V族化合物半導(dǎo)體(如GaN)。

      CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn):

      • 堅(jiān)固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu),光學(xué)、電子和化學(xué)部分相對(duì)獨(dú)立;
      • 的測(cè)量電路模塊;
      • 強(qiáng)力的控制軟件,系統(tǒng)操作,使用簡(jiǎn)便;
      • 完善的售后服務(wù)體系;
      • 提供免費(fèi)樣品測(cè)試并提供測(cè)試報(bào)告。
      • 保修期:2年,終身維修。
      • 對(duì)用戶承諾*樣品測(cè)試,每月1次。

       

      技術(shù)參數(shù): 
      CVP21電化學(xué)CV剖面濃度分析儀完美結(jié)合了WEP在電化學(xué)方分布測(cè)試方面超過(guò)30年的經(jīng)驗(yàn)和世界上的電路系統(tǒng)。全自動(dòng),特別適用于新材料,如氮化鎵、碳化硅材料等。
      可有效檢測(cè):外延材料、擴(kuò)散、離子注入。
      載流子濃度測(cè)量范圍:1011/cm3~1021/cm3 ;
      深度分辨率:低至1nm;
      模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu):
       - 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu);
       - 實(shí)時(shí)監(jiān)控腐蝕過(guò)程;
       - 適于微小樣品及大尺寸的晶圓;
      - 全自動(dòng)化系統(tǒng);

       

      主要特點(diǎn): 
      CVP21電化學(xué)ECV是半導(dǎo)體載流子濃度分布完美的解決方案:
      1.  CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。
      - IV族半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…
      - III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…
      - 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…
      - 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…
      - 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…
      - II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…
      - 其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測(cè)量)。
      2.  CVP21可測(cè)試不同形態(tài)的樣品:多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料、基底沒有限制(基底導(dǎo)電或絕緣均可)、標(biāo)準(zhǔn)樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請(qǐng)預(yù)先咨詢我們)。
      3.  CVP21擁有很好的分辨率范圍:
      * 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
      * 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質(zhì)量決定)
      4.  CVP21是一套完整的電化學(xué)ECV測(cè)量系統(tǒng):
      * 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機(jī)械、光學(xué)、液體傳動(dòng)幾個(gè)主要部分均經(jīng)特殊設(shè)計(jì))
      * 免校準(zhǔn)的系統(tǒng)(*自校準(zhǔn)的電子系統(tǒng),電纜電容均無(wú)須用戶再次校準(zhǔn))
      * 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化,在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)
      * 照相機(jī)鏡頭控制(過(guò)程在線由彩色照相機(jī)鏡頭控制;每次測(cè)量后,鏡頭數(shù)據(jù)均可取出。)
      * 實(shí)驗(yàn)菜單(測(cè)量菜單預(yù)定義,優(yōu)先權(quán)用戶可以很容易修改或改進(jìn)測(cè)量菜單)
      * Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學(xué)樣品池自動(dòng)裝載/卸載/再裝載,優(yōu)先權(quán)用戶易于修改,進(jìn)行樣品dry-in/dry-out處理。)

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